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BASiC基本半导体碳化硅MOSFET B1M160120HC,B1M080120HC,B1M080120HK,B1M032120HC,B1M032120HK具备开关中的小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗,以及无阈值通态特性等。非常适合硬开关和谐振开关拓扑,如LLC和ZVS,广泛应用于OBC车载充电器,光伏储能逆变器,充电桩电源模块等,可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来高效率,从而可以减小系统尺寸、增大功率密度,并确保高可靠性,延长使用寿命。 |
公司名称: |
上海保迪增浩国际贸易有限公司 |
公司类型: |
企业单位 () |
所 在 地: |
上海 |
公司规模: |
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注册资本: |
未填写 |
注册年份: |
1997 |
资料认证: |
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保 证 金: |
已缴纳 0.00 元 |
经营范围: |
汽车主驱碳化硅模块,EV电驱动SiC MOSFET模块,双面水冷散热,氢燃料电动汽车碳化硅模块,汽车OBC碳化硅MOSFET,全碳化硅SiC模块,EV电动压缩机SiC MOSFET模块,SiC MOSFET Module,Full SiC Module,Hybrid SiC Module,国产SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,碳化硅SiC MOSFET模块,混合SiC-IGBT单管,三电平IGBT模块,I型三电平SiC模块,T型三电平SiC模块,IGBT模块,英飞凌SiC碳化硅MO |
销售的产品: |
汽车主驱碳化硅模块,EV电驱动SiC MOSFET模块,双面水冷散热,氢燃料电动汽车碳化硅模块,EV电动压缩机SiC MOSFET模块,汽车OBC碳化硅MOSFET,全碳化硅SiC模块,SiC MOSFET Module,Full SiC Module,Hybrid SiC Module,国产SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,碳化硅SiC MOSFET模块,混合SiC-IGBT单管,三电平IGBT模块,I型三电平SiC模块,T型三电平SiC模块,IGBT模块,英飞凌SiC碳化硅MO |
采购的产品: |
储能变流器碳化硅MOSFET,储能PCS Buck-Boost用SiC MOSFET,光伏逆变器IGBT,SiC MOSFET,分立IGBT,混合IGBT模块,光伏逆变器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,混合三电平SiC-IGBT模块,IGBT单管,光储一体IGBT单管,国产混合IGBT单管,国产SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,国产SiC MOSFET模块,SOT-227碳化硅肖特基二极管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-I |
主营行业: |
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